CMOS vs. Bipolar Halvlederteknologi: Vigtige Forskelle

Sammenligning

Egenskab	CMOS	Bipolar
Transistor-struktur	MOSFET (source, drain, gate)	BJT (emitter, base, collector)
Strømforbrug	Meget lavt statisk strømforbrug	Højere (kontinuerlig strøm)
Hastighed/Frekvens	Højere kredsløbshastigheder	Hurtigere individuel skiftning, men langsommere overordnet
Støjimmunitet	Bedre (høj input-impedans)	Mere følsom
Integrations-tæthed	Højere (flere transistorer/mm²)	Lavere
Fabrikations-kompleksitet	Mere kompleks, modne processer	Simplere, færre skridt
Omkostning/Afcast	Omkostningseffektivt, højt afcast	Dyrere, lavere afcast

CMOS dominerer moderne IC'er på grund af strøm, tæthed og omkostningsfordel. Bipolar forbliver i niche RF/analoge applikationer, der kræver høj skiftning-hastighed.